លេខសម្ងាត់ Si PIN បួនជ្រុង

ម៉ូដែល៖ GT111/ GT112/ GD3250Y/ GD3249Y/ GD3244Y/ GD3245Y/ GD32413Y/ GD32414Y/ GD32415Y

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

វាមានបួនឯកតាដូចគ្នានៃ Si PIN photodiode ដែលដំណើរការក្រោមការបញ្ច្រាស និងផ្តល់នូវភាពប្រែប្រួលខ្ពស់ចាប់ពីកាំរស្មី UV ដល់ NIR ។រលកប្រតិកម្មខ្ពស់បំផុតគឺ 980nm ។ការឆ្លើយតប: 0.5 A/W នៅ 1064 nm ។

ទទួលបានសម្រង់ ទាញយក

ប៉ារ៉ាម៉ែត្របច្ចេកទេស

ស្លាកផលិតផល

លក្ខណៈពិសេស

ចរន្តងងឹតទាប
ការឆ្លើយតបខ្ពស់។
ភាពជាប់លាប់នៃការ៉េល្អ។
តំបន់ពិការភ្នែកតូច

កម្មវិធី

ការណែនាំឡាស៊ែរ ការកំណត់គោលដៅ និងការតាមដាន
សម្រាប់ឧបករណ៍រុករក
ទីតាំងមីក្រូឡាស៊ែរ ការត្រួតពិនិត្យការផ្លាស់ទីលំនៅ និងប្រព័ន្ធវាស់ស្ទង់ច្បាស់លាស់

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ photoelectric (@Ta=25℃)

ធាតុ #	ប្រភេទកញ្ចប់	អង្កត់ផ្ចិត ផ្ទៃដែលងាយនឹងប្រតិកម្ម (ម.	ជួរឆ្លើយតប Spectral (nm)	រលកប្រតិកម្មខ្ពស់បំផុត	ទំនួលខុសត្រូវ λ=1064nm (kV/W)	ចរន្តងងឹត (nA)	ពេលវេលាកើនឡើង λ=1064nm R_L=50Ω(ns)	សមត្ថភាពប្រសព្វ f=1MHz (pF)	វ៉ុលបំបែក (V)
GT111	ដល់-៨	Ф4	៤០០ ដល់ ១១០០	៩៨០	០.៣	៥(វ_R=40V)	១៥(វ_R=40V)	៥(វ_R=10V)	១០០
GT112		Ф6				៧(វ_R=40V)	២០(វ_R=40V)	៧(វ_R=10V)
GD3250Y		Ф8				១០(វ_R=40V)	២៥(វ_R=40V)	១០(វ_R=10V)
GD3249Y	ដល់-២០	Ф10				១៥(វ_R=40V)	៣០(វ_R=40V)	១៥(វ_R=10V)
GD3244Y	ដល់-៣១-៧	Ф10			០.៤	២០(វ_R= 135V)	២០(វ_R= 135V)	១០(វ_R= 135V)	៣០០
GD3245Y	ដល់-៣១-៧	Ф16				៥០(វ_R= 135V)	៣០(វ_R= 135V)	២០(វ_R= 135V)
GD32413Y	MBY026-P6	Ф14				៤០(វ_R= 135V)	២៥(វ_R= 135V)	១៦(វ_R= 135V)
GD32414Y	ដល់-៨	Ф5.3	៤០០ ដល់ ១១៥០		០.៥	៤.៨(វ_R= 140V)	១៥(វ_R= 140V)	៤.២(វ_R= 140V)	≥300
GD32415Y	MBY026-W7W	Ф11.3	៤០០ ដល់ ១១៥០		០.៥	≤20(V_R=180V)	២០(វ_R=180V)	១០(វ_R=180V)	≥300