ម៉ូឌុល 850nm Si PIN

ម៉ូដែល៖ GD4213Y/GD4251Y/GD4251Y-A/GD42121Y

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

វាគឺជាម៉ូឌុល photodiode 850nm Si PIN ជាមួយនឹងសៀគ្វី pre-ampplification ដែលអាចឱ្យសញ្ញាបច្ចុប្បន្នខ្សោយត្រូវបានពង្រីក និងបម្លែងទៅជាសញ្ញាវ៉ុល ដើម្បីសម្រេចបាននូវដំណើរការបំប្លែងនៃ photon-photoelectric-signal amplification ។

ទទួលបានសម្រង់ ទាញយក

ប៉ារ៉ាម៉ែត្របច្ចេកទេស

ស្លាកផលិតផល

លក្ខណៈពិសេស

ការឆ្លើយតបល្បឿនលឿន
ភាពប្រែប្រួលខ្ពស់។

កម្មវិធី

ហ្វុយហ្ស៊ីបឡាស៊ែរ

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ photoelectric (@Ta=22±3℃)

ធាតុ #	ប្រភេទកញ្ចប់	អង្កត់ផ្ចិតនៃផ្ទៃរស្មីសំយោគ (មម)	ទំនួលខុសត្រូវ	ពេលវេលាកើនឡើង (ns)	ជួរថាមវន្ត (dB)	វ៉ុលប្រតិបត្តិការ (V)	វ៉ុលសំលេងរំខាន (mV)	កំណត់ចំណាំ
ធាតុ #	ប្រភេទកញ្ចប់	អង្កត់ផ្ចិតនៃផ្ទៃរស្មីសំយោគ (មម)	λ=850nm,φ_e=1μW		λ=850nm	វ៉ុលប្រតិបត្តិការ (V)	វ៉ុលសំលេងរំខាន (mV)	កំណត់ចំណាំ
GD4213Y	ដល់-៨	2	១១០	12	20	±5±0.3	12	-
GD4251Y		2	១៣០	12	20	±6±0.3	40	(មុំឧប្បត្តិហេតុ: 0 °, ការបញ្ជូន 830nm ~ 910nm ≥90%
GD4251Y-A		10 × 1.5	១៣០	18	20	±6±0.3	40
GD42121Y		10 × 0.95	១១០	20	20	±5±0.1	25
ចំណាំ: បន្ទុកសាកល្បងនៃ GD4213Y គឺ 50Ω នៅសល់ផ្សេងទៀតគឺ 1MΩ