• វិជ្ជាជីវៈបង្កើតគុណភាព សេវាកម្មបង្កើតតម្លៃ!
  • sales@erbiumtechnology.com
dfbf

905nm APD

905nm APD

ម៉ូដែល៖ GD5210Y-2-2-TO46/ GD5210Y-2-5-TO46/ GD5210Y-2-8-TO46/ GD5210Y-2-2-LCC3/ GD5210Y-2-5-LCC3/ GD5210Y-2-2-P/ GD5210Y-2-5-P/ អារេ

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

វាគឺជា Si avalanche photodiode ដែលផ្តល់នូវភាពប្រែប្រួលខ្ពស់ចាប់ពី UV ដល់ NIR ។រលកប្រតិកម្មខ្ពស់បំផុតគឺ 905nm ។


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • ៣៧៤a៧៨c៣

ប៉ារ៉ាម៉ែត្របច្ចេកទេស

ស្លាកផលិតផល

លក្ខណៈពិសេស

  • បន្ទះសៀគ្វីសំប៉ែតបំភ្លឺផ្នែកខាងមុខ
  • ការឆ្លើយតបល្បឿនលឿន
  • ការកើនឡើង APD ខ្ពស់។
  • សមត្ថភាពប្រសព្វទាប
  • សំលេងរំខានទាប
  • ទំហំអារេ និងផ្ទៃដែលងាយនឹងពន្លឺអាចត្រូវបានប្ដូរតាមបំណង។

កម្មវិធី

  • ជួរឡាស៊ែរ
  • រ៉ាដាឡាស៊ែរ
  • ការព្រមានឡាស៊ែរ

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ photoelectric (@Ta=22±3℃)

ធាតុ #

ប្រភេទកញ្ចប់

អង្កត់ផ្ចិតនៃផ្ទៃរស្មីសំយោគ (មម)

ជួរឆ្លើយតប Spectral (nm)

 

រលកប្រតិកម្មខ្ពស់បំផុត

(nm)

ទំនួលខុសត្រូវ

λ=905nm

φe=1μW

M=100

(A/W)

ពេលវេលាឆ្លើយតប

λ=905nm

RL=50Ω

(ns)

ចរន្តងងឹត

M=100

(nA)

មេគុណសីតុណ្ហភាព

តា = -40 ℃ ~ 85 ℃

(V/℃)

 

capacitance សរុប

M=100

f=1MHz

(pF)

 

បំបែក​បាក់បែក

វ៉ុល

IR=10μA

(V)

វាយ

អតិបរមា។

នាទី

អតិបរមា

GD5210Y-2-2-TO46

ដល់-៤៦

0.23

 

 

 

 

 

 

៤០០ ដល់ ១១០០

 

 

 

 

 

 

 

៩០៥

 

 

 

 

55

 

 

 

 

 

 

 

០.៦

០.២

1.0

0.9

1.0

១៣០

២២០

GD5210Y-2-5-TO46

ដល់-៤៦

0.50

០.៤

1.0

១.២

GD5210Y-2-8-TO46

ដល់-៤៦

0.80

០.៨

2.0

2.0

GD5210Y-2-2-LCC3

អិលស៊ីស៊ី ៣

0.23

០.២

1.0

1.0

GD5210Y-2-5-LCC3

អិលស៊ីស៊ី ៣

0.50

០.៤

1.0

១.២

GD5210Y-2-2-P

កញ្ចប់ប្លាស្ទិក

0.23

០.២

1.0

1.0

GD5210Y-2-5-P

កញ្ចប់ប្លាស្ទិក

0.50

០.៤

1.0

១.២

អារេ

PCB

ប្ដូរតាមបំណង

យោងទៅតាមផ្ទៃរស្មី

យោងទៅតាមផ្ទៃរស្មី

 

យោងទៅតាមផ្ទៃរស្មី

១៦០

២០០


  • មុន៖
  • បន្ទាប់៖