InGaAs ម៉ូឌុល APD

ម៉ូដែល: GD6510Y / GD6511Y / GD6512Y

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

វាគឺជាម៉ូឌុល photodiode gallium arsenide avalanche របស់ indium ជាមួយនឹងសៀគ្វី pre-amplification ដែលអាចឱ្យសញ្ញាបច្ចុប្បន្នខ្សោយត្រូវបានពង្រីក និងបំលែងទៅជាសញ្ញាវ៉ុល ដើម្បីសម្រេចបាននូវដំណើរការបំប្លែងនៃ photon-photoelectric-signal amplification ។

ទទួលបានសម្រង់ ទាញយក

ប៉ារ៉ាម៉ែត្របច្ចេកទេស

ស្លាកផលិតផល

លក្ខណៈពិសេស

បន្ទះសៀគ្វីសំប៉ែតបំភ្លឺផ្នែកខាងមុខ
ការឆ្លើយតបល្បឿនលឿន
ភាពប្រែប្រួលខ្ពស់នៃឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា

កម្មវិធី

ជួរឡាស៊ែរ
ការទំនាក់ទំនងឡាស៊ែរ
ការព្រមានឡាស៊ែរ

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ photoelectric(@Ta=22±3℃)

ធាតុ #	ប្រភេទកញ្ចប់	អង្កត់ផ្ចិតនៃផ្ទៃរស្មីសំយោគ (មម)	ជួរឆ្លើយតប Spectral (nm)	វ៉ុលបំបែក (V)	ទំនួលខុសត្រូវ M=10 λ=1550nm (kV/W)	ពេលវេលាកើនឡើង (ns)	កម្រិតបញ្ជូន (MHz)	មេគុណសីតុណ្ហភាព T_a=-40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)	ថាមពលសមមូលសំលេងរំខាន (pW/√Hz)	ការប្រមូលផ្តុំ (μm)	ប្រភេទដែលបានជំនួសនៅក្នុងប្រទេសផ្សេងទៀត។
GD6510Y	ដល់-៨	០.២	1000 ទៅ 1700	៣០ ដល់ ៧០	៣៤០	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		០.៥				10	35		0.21		−
GD6512Y		0.08				២.៣	១៥០		0.11		C3059-1550-R08B