905nm APD
លក្ខណៈពិសេស
- បន្ទះសៀគ្វីសំប៉ែតបំភ្លឺផ្នែកខាងមុខ
- ការឆ្លើយតបល្បឿនលឿន
- ការកើនឡើង APD ខ្ពស់។
- សមត្ថភាពប្រសព្វទាប
- សំលេងរំខានទាប
- ទំហំអារេ និងផ្ទៃដែលងាយនឹងពន្លឺអាចត្រូវបានប្ដូរតាមបំណង។
កម្មវិធី
- ជួរឡាស៊ែរ
- រ៉ាដាឡាស៊ែរ
- ការព្រមានឡាស៊ែរ
ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ photoelectric (@Ta=22±3℃)
| ធាតុ # | ប្រភេទកញ្ចប់ | អង្កត់ផ្ចិតនៃផ្ទៃរស្មីសំយោគ (មម) | ជួរឆ្លើយតប Spectral (nm) |
រលកប្រតិកម្មខ្ពស់បំផុត (nm) | ទំនួលខុសត្រូវ λ=905nm φe=1μW M=100 (A/W) | ពេលវេលាឆ្លើយតប λ=905nm RL=50Ω (ns) | ចរន្តងងឹត M=100 (nA) | មេគុណសីតុណ្ហភាព តា = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)
| capacitance សរុប M=100 f=1MHz (pF)
| បំបែកបាក់បែក វ៉ុល IR=10μA (V) | ||
| វាយ | អតិបរមា។ | នាទី | អតិបរមា | |||||||||
| GD5210Y-2-2-TO46 | ដល់-៤៦ | 0.23 |
៤០០ ដល់ ១១០០
|
៩០៥
| 55
|
០.៦ | ០.២ | 1.0 | 0.9 | 1.0 | ១៣០ | ២២០ |
| GD5210Y-2-5-TO46 | ដល់-៤៦ | 0.50 | ០.៤ | 1.0 | ១.២ | |||||||
| GD5210Y-2-8-TO46 | ដល់-៤៦ | 0.80 | ០.៨ | 2.0 | 2.0 | |||||||
| GD5210Y-2-2-LCC3 | អិលស៊ីស៊ី ៣ | 0.23 | ០.២ | 1.0 | 1.0 | |||||||
| GD5210Y-2-5-LCC3 | អិលស៊ីស៊ី ៣ | 0.50 | ០.៤ | 1.0 | ១.២ | |||||||
| GD5210Y-2-2-P | កញ្ចប់ប្លាស្ទិក | 0.23 | ០.២ | 1.0 | 1.0 | |||||||
| GD5210Y-2-5-P | កញ្ចប់ប្លាស្ទិក | 0.50 | ០.៤ | 1.0 | ១.២ | |||||||
| អារេ | PCB | ប្ដូរតាមបំណង | យោងទៅតាមផ្ទៃរស្មី | យោងទៅតាមផ្ទៃរស្មី |
| យោងទៅតាមផ្ទៃរស្មី | ១៦០ | ២០០ | ||||
