ស៊េរីម៉ូឌុល InGaAS-APD
| លក្ខណៈ photoelectric (＠Ta＝22±3℃) | |||
| គំរូ | GD6510Y | GD6511Y | GD6512Y |
| ទម្រង់កញ្ចប់ | ដល់-៨ | ដល់-៨ | ដល់-៨ |
| អង្កត់ផ្ចិតផ្ទៃដែលងាយនឹងប្រតិកម្ម (មម) | ០.២ | ០.៥ | 0.08 |
| ជួរឆ្លើយតប Spectral (nm) | 1000-1700 | 1000-1700 | 1000-1700 |
| វ៉ុលបំបែក (V) | ៣០~៧០ | ៣០~៧០ | ៣០~៧០ |
| ទំនួលខុសត្រូវ M=10 l=1550nm(kV/W) | ៣៤០ | ៣៤០ | ៣៤០ |
| ពេលវេលាកើនឡើង (ns) | 5 | 10 | ២.៣ |
| កម្រិតបញ្ជូន (MHz) | 70 | 35 | ១៥០ |
| ថាមពលសំលេងរំខានសមមូល (pW/√Hz) | 0.15 | 0.21 | 0.11 |
| មេគុណសីតុណ្ហភាពវ៉ុលការងារ T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃) | 0.12 | 0.12 | 0.12 |
| ការប្រមូលផ្តុំ (μm) | ≤50 | ≤50 | ≤50 |
| ម៉ូដែលជំនួសនៃការអនុវត្តដូចគ្នានៅទូទាំងពិភពលោក | C3059-1550-R2A | / | C3059-1550-R08B |
រចនាសម្ព័ន្ធបន្ទះសៀគ្វីខាងមុខ
ការឆ្លើយតបរហ័ស
ភាពរសើបរបស់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាខ្ពស់។
ជួរឡាស៊ែរ
លីដា
ការព្រមានឡាស៊ែរ
រចនាសម្ព័ន្ធបន្ទះសៀគ្វីខាងមុខ
ការឆ្លើយតបរហ័ស
ភាពរសើបរបស់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាខ្ពស់។
ជួរឡាស៊ែរ
លីដា
ការព្រមានឡាស៊ែរ
