យោងតាមយន្តការជំនាន់ផ្សេងគ្នានៃឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី មានឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីបីប្រភេទគឺ ឡាស៊ែរ semiconductor ឡាស៊ែរសរសៃ និងឡាស៊ែររឹង។ក្នុងចំណោមពួកវា ឡាស៊ែររដ្ឋរឹងអាចត្រូវបានបែងចែកទៅជា ឡាស៊ែររដ្ឋរឹង ដោយផ្អែកលើការបំប្លែងរលកពន្លឺអុបទិក និងឡាស៊ែររដ្ឋរឹង ដែលបង្កើតដោយផ្ទាល់នូវកាំរស្មីអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីពីសម្ភារៈធ្វើការរបស់ឡាស៊ែរ។
ឡាស៊ែរ semiconductor ប្រើសម្ភារៈ semiconductor ជាសម្ភារៈធ្វើការឡាស៊ែរ ហើយរលកឡាស៊ែរលទ្ធផលត្រូវបានកំណត់ដោយគម្លាតក្រុមនៃសម្ភារៈ semiconductor ។ជាមួយនឹងការអភិវឌ្ឍន៍នៃវិទ្យាសាស្ត្រសម្ភារៈ ខ្សែថាមពលនៃសម្ភារៈ semiconductor អាចត្រូវបានកែសម្រួលទៅតាមជួររលកឡាស៊ែរដ៏ធំទូលាយតាមរយៈវិស្វកម្មក្រុមថាមពល។ដូច្នេះ រលកឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីជាច្រើនអាចទទួលបានជាមួយនឹងឡាស៊ែរ semiconductor ។
គាត់ សម្ភារៈធ្វើការឡាស៊ែរធម្មតានៃឡាស៊ែរ semiconductor រលកខ្លី គឺជាសម្ភារៈផូស្វ័រ។ជាឧទាហរណ៍ ឡាស៊ែរ indium phosphide semiconductor ដែលមានទំហំ aperture 95 μm មានពន្លឺឡាស៊ែរទិន្នផល 1.55 μm និង 1.625 μm ហើយថាមពលបានដល់ 1.5 W ។
ឡាស៊ែរជាតិសរសៃ ប្រើប្រាស់ជាតិសរសៃកញ្ចក់ដ៏កម្រជាសារធាតុវិទ្យុសកម្ម និងឡាស៊ែរ semiconductor ជាប្រភពបូម។វាមានលក្ខណៈល្អឥតខ្ចោះដូចជាកម្រិតទាប ប្រសិទ្ធភាពបំប្លែងខ្ពស់ គុណភាពនៃធ្នឹមទិន្នផលល្អ រចនាសម្ព័ន្ធសាមញ្ញ និងភាពជឿជាក់ខ្ពស់។វាក៏អាចទាញយកអត្ថប្រយោជន៍ពីវិសាលគមធំទូលាយនៃវិទ្យុសកម្មអ៊ីយ៉ុងដ៏កម្រដើម្បីបង្កើតជាឡាស៊ែរជាតិសរសៃដែលអាចផ្លាស់ប្តូរបានដោយបន្ថែមធាតុអុបទិកដែលជ្រើសរើសដូចជា gratings នៅក្នុងឡាស៊ែរ resonator ។ឡាស៊ែរជាតិសរសៃបានក្លាយទៅជាទិសដៅសំខាន់ក្នុងការអភិវឌ្ឍន៍បច្ចេកវិទ្យាឡាស៊ែរ។
1.Solid-state laser
មេឌៀដែលទទួលបានឡាស៊ែររឹងដែលអាចបង្កើតដោយផ្ទាល់នូវឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីគឺជាចម្បងគឺ Er: គ្រីស្តាល់ YAG និងសេរ៉ាមិច និងកញ្ចក់ Er-doped។ឡាស៊ែររឹងដែលមានមូលដ្ឋានលើគ្រីស្តាល់ Er:YAG និងសេរ៉ាមិចអាចបញ្ចេញកាំរស្មីអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី 1.645μm ដោយផ្ទាល់ ដែលជាចំណុចក្តៅក្នុងការស្រាវជ្រាវឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីក្នុងប៉ុន្មានឆ្នាំថ្មីៗនេះ [3-5] ។នាពេលបច្ចុប្បន្ននេះ ថាមពលជីពចររបស់ឡាស៊ែរ Er:YAG ដោយប្រើ electro-optic ឬ acousto-optic Q-switching បានឈានដល់ពីរបីទៅរាប់សិប mJ, ទទឹងជីពចរពីរាប់សិប ns និងប្រេកង់ដដែលៗពីរាប់សិបទៅរាប់ពាន់ Hz ។ប្រសិនបើឡាស៊ែរ semiconductor ទំហំ 1.532 μm ត្រូវបានប្រើជាប្រភពបូម វានឹងមានគុណសម្បត្តិដ៏អស្ចារ្យនៅក្នុងវិស័យនៃការឈ្លបយកការណ៍សកម្ម និងវិធានការប្រឆាំងឡាស៊ែរ ជាពិសេសឥទ្ធិពលបំបាំងកាយរបស់វាទៅលើឧបករណ៍ព្រមានឡាស៊ែរធម្មតា។
ឡាស៊ែរកញ្ចក់ Er មានរចនាសម្ព័ន្ធបង្រួម តម្លៃទាប ទម្ងន់ស្រាល និងអាចដឹងពីប្រតិបត្តិការ Q-switched ។វាគឺជាប្រភពពន្លឺដែលពេញចិត្តសម្រាប់ការរកឃើញសកម្មនៃឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី។ទោះយ៉ាងណាក៏ដោយដោយសារការខ្វះខាតចំនួនបួននៃសម្ភារៈកញ្ចក់ Er: ទីមួយ រលកកណ្តាលនៃវិសាលគមស្រូបគឺ 940 nm ឬ 976 nm ដែលធ្វើអោយការបូមចង្កៀងពិបាកសម្រេច។ទីពីរ ការរៀបចំសម្ភារៈកញ្ចក់ Er គឺពិបាក ហើយវាមិនងាយស្រួលទេក្នុងការធ្វើទំហំធំ។ទីបី កញ្ចក់ Er សម្ភារៈមានលក្ខណៈសម្បត្តិកម្ដៅខ្សោយ ហើយវាមិនងាយស្រួលទេក្នុងការសម្រេចបាននូវប្រតិបត្តិការប្រេកង់ដដែលៗសម្រាប់រយៈពេលដ៏យូរ អនុញ្ញាតឱ្យមានប្រតិបត្តិការជាបន្តបន្ទាប់។ទីបួន មិនមានសម្ភារៈប្តូរ Q សមរម្យទេ។ទោះបីជាការស្រាវជ្រាវនៃឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីដោយផ្អែកលើកញ្ចក់ Er តែងតែទាក់ទាញចំណាប់អារម្មណ៍របស់មនុស្សក៏ដោយដោយសារតែហេតុផលទាំងបួនខាងលើមិនមានផលិតផលណាមួយចេញមកទេ។រហូតមកដល់ឆ្នាំ 1990 ជាមួយនឹងការលេចឡើងនៃរបារឡាស៊ែរ semiconductor ដែលមានរលកប្រវែង 940 nm និង 980 nm និងការលេចចេញនូវវត្ថុធាតុស្រូបឆ្អែតដូចជា Co2+:MgAl2O4 (cobalt-doped magnesium aluminate) ដែលជាឧបសគ្គចម្បងពីរនៃប្រភពស្នប់ និងការប្តូរ Q-switching ត្រូវបានខូច។ការស្រាវជ្រាវលើឡាស៊ែរកញ្ចក់បានអភិវឌ្ឍយ៉ាងឆាប់រហ័ស។ជាពិសេសក្នុងប៉ុន្មានឆ្នាំចុងក្រោយនេះ ម៉ូឌុលឡាស៊ែរកញ្ចក់ Er ខ្នាតតូចរបស់ប្រទេសខ្ញុំ ដែលរួមបញ្ចូលប្រភពស្នប់ semiconductor, Er glass និង resonant cavity មានទម្ងន់មិនលើសពី 10 ក្រាម និងមានសមត្ថភាពផលិតបណ្តុំតូចមួយនៃម៉ូឌុលថាមពលកំពូល 50 kW ។ទោះយ៉ាងណាក៏ដោយ ដោយសារតែដំណើរការកំដៅមិនល្អនៃសម្ភារៈកញ្ចក់ Er ភាពញឹកញាប់នៃការធ្វើឡើងវិញនៃម៉ូឌុលឡាស៊ែរនៅតែមានកម្រិតទាប។ប្រេកង់ឡាស៊ែរនៃម៉ូឌុល 50 kW គឺត្រឹមតែ 5 Hz ហើយប្រេកង់ឡាស៊ែរអតិបរមានៃម៉ូឌុល 20 kW គឺ 10 Hz ដែលអាចប្រើបានតែក្នុងកម្មវិធីប្រេកង់ទាបប៉ុណ្ណោះ។
ទិន្នផលឡាស៊ែរ 1.064 μm ដោយ Nd:YAG ឡាស៊ែរមានថាមពលខ្ពស់បំផុតរហូតដល់មេហ្គាវ៉ាត់។នៅពេលដែលពន្លឺដែលជាប់គ្នាខ្លាំងបែបនេះឆ្លងកាត់វត្ថុធាតុពិសេសមួយចំនួន ហ្វូតុងរបស់វាត្រូវបានខ្ចាត់ខ្ចាយយ៉ាងខ្ជាប់ខ្ជួននៅលើម៉ូលេគុលនៃវត្ថុនោះ ពោលគឺ ហ្វូតុងត្រូវបានស្រូប និងផលិតបាននូវហ្វូតុងដែលមានប្រេកង់ទាប។មានសារធាតុពីរប្រភេទដែលអាចសម្រេចបាននូវឥទ្ធិពលបំប្លែងប្រេកង់នេះ៖ មួយគឺគ្រីស្តាល់មិនលីនេអ៊ែរ ដូចជា KTP, LiNbO3 ជាដើម។មួយទៀតគឺឧស្ម័នសម្ពាធខ្ពស់ដូចជា H2 ។ដាក់ពួកវានៅក្នុងបែហោងធ្មែញអុបទិកដើម្បីបង្កើតលំយោលអុបទិកប៉ារ៉ាម៉ែត្រ (OPO) ។
OPO ដែលមានមូលដ្ឋានលើឧស្ម័នសម្ពាធខ្ពស់ ជាធម្មតាសំដៅទៅលើលំយោលពន្លឺដែលជំរុញដោយរ៉ាម៉ាន់។ពន្លឺបូមត្រូវបានស្រូបយកដោយផ្នែក និងបង្កើតរលកពន្លឺប្រេកង់ទាប។ឡាស៊ែរ Raman ចាស់ទុំប្រើឡាស៊ែរ 1.064 μm ដើម្បីបូមឧស្ម័នសម្ពាធខ្ពស់ H2 ដើម្បីទទួលបានឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី 1.54 μm។
រូបភាព ១
កម្មវិធីធម្មតានៃប្រព័ន្ធអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ GV រលកខ្លីគឺរូបភាពពីចម្ងាយនៅពេលយប់។ឧបករណ៍បំភ្លឺឡាស៊ែរគួរតែជាឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីជីពចរខ្លីដែលមានថាមពលកំពូលខ្ពស់ ហើយប្រេកង់ដដែលៗរបស់វាគួរតែត្រូវគ្នាជាមួយនឹងប្រេកង់ស៊ុមនៃកាមេរ៉ាស្តូប។យោងតាមស្ថានភាពបច្ចុប្បន្ននៃឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីក្នុងប្រទេស និងក្រៅប្រទេស ឡាស៊ែរអ៊ីដ្រូសែនដែលបូមដោយ diode-YAG និងឡាស៊ែរដែលមានមូលដ្ឋានលើ OPO-1.57 μm គឺជាជម្រើសដ៏ល្អបំផុត។ប្រេកង់ដដែលៗ និងថាមពលកំពូលនៃឡាស៊ែរកញ្ចក់ខ្នាតតូច Er នៅតែត្រូវកែលម្អ។3.ការប្រើប្រាស់ឡាស៊ែរ អ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ រលកខ្លី ក្នុងការប្រឆាំងការឈ្លបយកការណ៍
ខ្លឹមសារនៃការប្រឆាំងការឈ្លបយកការណ៍ឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី គឺការបំភាយឧបករណ៍ឈ្លបយកការណ៍អុបតូអេឡិចត្រូនិចរបស់សត្រូវដែលធ្វើការនៅក្នុងក្រុមតន្រ្តីអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី ជាមួយនឹងកាំរស្មីអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី ដូច្នេះវាអាចទទួលបានព័ត៌មានគោលដៅខុស ឬមិនអាចដំណើរការធម្មតា ឬសូម្បីតែ ឧបករណ៍ចាប់ត្រូវបានខូច។មានវិធីសាស្រ្តប្រឆាំងការឈ្លបយកការណ៍ឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីធម្មតាចំនួនពីរ ពោលគឺការជ្រៀតជ្រែកពីការបោកបញ្ឆោតពីចម្ងាយទៅកាន់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាឡាស៊ែរដែលមានសុវត្ថិភាពភ្នែកមនុស្ស និងការខូចខាតការទប់ស្កាត់ចំពោះកាមេរ៉ាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី។
1.1 ការជ្រៀតជ្រែកពីការបោកបញ្ឆោតពីចម្ងាយទៅកាន់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាឡាស៊ែរសុវត្ថិភាពភ្នែករបស់មនុស្ស
ឧបករណ៍រកជួរឡាស៊ែរដែលមានជីពចរបំប្លែងចម្ងាយរវាងគោលដៅ និងគោលដៅដោយចន្លោះពេលនៃជីពចរឡាស៊ែរដែលដើរទៅក្រោយរវាងចំណុចចាប់ផ្តើម និងគោលដៅ។ប្រសិនបើឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា rangefinder ទទួលបានជីពចរឡាស៊ែរផ្សេងទៀត មុនពេលសញ្ញាអេកូដែលឆ្លុះបញ្ចាំងនៃគោលដៅឈានដល់ចំណុចចាប់ផ្តើម វានឹងបញ្ឈប់ពេលវេលា ហើយចម្ងាយដែលបានបំប្លែងមិនមែនជាចម្ងាយជាក់ស្តែងនៃគោលដៅនោះទេ ប៉ុន្តែតូចជាងចម្ងាយជាក់ស្តែងនៃគោលដៅ។ចម្ងាយមិនពិតដែលសម្រេចបាននូវគោលបំណងបញ្ឆោតចម្ងាយរបស់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា។សម្រាប់ឧបករណ៍ស្វែងរកជួរឡាស៊ែរដែលមានសុវត្ថិភាពភ្នែក ឡាស៊ែរជីពចរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីដែលមានចម្ងាយរលកដូចគ្នាអាចត្រូវបានប្រើដើម្បីអនុវត្តការជ្រៀតជ្រែកការបោកបញ្ឆោតពីចម្ងាយ។
ឡាស៊ែរដែលអនុវត្តការជ្រៀតជ្រែកនៃការបោកបញ្ឆោតពីចម្ងាយរបស់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាកំណត់ការក្លែងបន្លំការឆ្លុះបញ្ចាំងដែលសាយភាយនៃគោលដៅទៅឡាស៊ែរ ដូច្នេះថាមពលកំពូលឡាស៊ែរគឺទាបណាស់ ប៉ុន្តែលក្ខខណ្ឌពីរខាងក្រោមគួរតែត្រូវបានបំពេញ៖
1) រលកឡាស៊ែរត្រូវតែដូចគ្នាទៅនឹងប្រវែងរលកធ្វើការរបស់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាជួរដែលជ្រៀតជ្រែក។តម្រងជ្រៀតជ្រែកត្រូវបានដំឡើងនៅពីមុខឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាជួរ ហើយកម្រិតបញ្ជូនគឺតូចចង្អៀតណាស់។ឡាស៊ែរដែលមានប្រវែងរលកផ្សេងទៀតមិនអាចទៅដល់ផ្ទៃដែលមានពន្លឺនៃឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាបានទេ។សូម្បីតែឡាស៊ែរ 1.54 μm និង 1.57 μm ដែលមានប្រវែងរលកស្រដៀងគ្នា ក៏មិនអាចរំខានដល់គ្នាទៅវិញទៅមកដែរ។
2) ប្រេកង់ពាក្យដដែលៗនៃឡាស៊ែរត្រូវតែខ្ពស់គ្រប់គ្រាន់។ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា rangefinder ឆ្លើយតបទៅនឹងសញ្ញាឡាស៊ែរដែលឈានដល់ផ្ទៃដែលមានពន្លឺរបស់វាតែនៅពេលដែលជួរត្រូវបានវាស់។ដើម្បីសម្រេចបាននូវការជ្រៀតជ្រែកប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាព ជីពចរជ្រៀតជ្រែកយ៉ាងហោចគួរតែច្របាច់ចូលទៅក្នុងច្រករលកសញ្ញាជួរពី 2 ទៅ 3 ជីពចរ។ច្រកជួរដែលអាចសម្រេចបាននៅពេលបច្ចុប្បន្នគឺស្ថិតនៅលើលំដាប់នៃ μs ដូច្នេះឡាស៊ែរដែលជ្រៀតជ្រែកត្រូវតែមានប្រេកង់ពាក្យដដែលៗខ្ពស់។យកចម្ងាយគោលដៅ 3 គីឡូម៉ែត្រជាឧទាហរណ៍ ពេលវេលាដែលត្រូវការសម្រាប់ឡាស៊ែរ ថយក្រោយម្តងគឺ 20 μs។ប្រសិនបើយ៉ាងហោចណាស់ 2 ជីពចរត្រូវបានបញ្ចូល ប្រេកង់ពាក្យដដែលៗនៃឡាស៊ែរត្រូវតែឈានដល់ 50 kHz ។ប្រសិនបើជួរអប្បរមារបស់ឧបករណ៍រកជួរឡាស៊ែរគឺ 300 ម៉ែត្រ នោះប្រេកង់ពាក្យដដែលៗរបស់ Jammer មិនអាចទាបជាង 500 kHz បានទេ។មានតែឡាស៊ែរ semiconductor និង fiber lasers ប៉ុណ្ណោះដែលអាចសម្រេចបាននូវអត្រាដដែលៗខ្ពស់បែបនេះ។
1.2 ទប់ស្កាត់ការជ្រៀតជ្រែក និងការខូចខាតដល់កាមេរ៉ាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី
ក្នុងនាមជាធាតុផ្សំស្នូលនៃប្រព័ន្ធរូបភាពអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី កាមេរ៉ាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីមានជួរថាមវន្តកម្រិតនៃថាមពលអុបទិកឆ្លើយតបនៃឧបករណ៍ចាប់យន្តហោះប្រសព្វ InGaAs របស់វា។ប្រសិនបើថាមពលអុបទិកឧបទ្ទវហេតុលើសពីដែនកំណត់ខាងលើនៃជួរថាមវន្ត ភាពឆ្អែតនឹងកើតឡើង ហើយឧបករណ៍ចាប់មិនអាចដំណើរការរូបភាពធម្មតាបានទេ។ថាមពលកាន់តែខ្ពស់ ឡាស៊ែរនឹងបង្កការខូចខាតជាអចិន្ត្រៃយ៍ដល់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា។
ឡាស៊ែរ semiconductor ថាមពលខ្ពស់ឥតឈប់ឈរ និងទាប និងឡាស៊ែរជាតិសរសៃដែលមានប្រេកង់ដដែលៗខ្ពស់គឺសមរម្យសម្រាប់ការជ្រៀតជ្រែកបន្តនៃកាមេរ៉ាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី។បន្តបាញ់កាំរស្មីកាមេរ៉ាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីដោយឡាស៊ែរ។ដោយសារឥទ្ធិពលនៃការពង្រីកទំហំធំនៃកញ្ចក់អុបទិក តំបន់ដែលទៅដល់ដោយកន្លែងសាយភាយឡាស៊ែរនៅលើយន្តហោះប្រសព្វ InGaAs គឺឆ្អែតខ្លាំង ដូច្នេះហើយមិនអាចថតរូបភាពធម្មតាបានទេ។មានតែបន្ទាប់ពីការ irradiation ឡាស៊ែរត្រូវបានបញ្ឈប់ក្នុងរយៈពេលមួយ, ការសម្តែងរូបភាពអាចត្រឡប់ទៅធម្មតាបន្តិចម្តង។
យោងតាមលទ្ធផលនៃការស្រាវជ្រាវជាច្រើនឆ្នាំ និងការអភិវឌ្ឍន៍ផលិតផលវិធានការប្រឆាំងឡាស៊ែរសកម្មនៅក្នុងក្រុមដែលអាចមើលឃើញ និងជិតអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ និងការធ្វើតេស្តប្រសិទ្ធភាពនៃការខូចខាតវាលជាច្រើន មានតែឡាស៊ែរជីពចរខ្លីដែលមានថាមពលអតិបរមានៃមេហ្គាវ៉ាត់ និងខ្ពស់ជាងនេះអាចបណ្តាលឱ្យខូចទូរទស្សន៍ដែលមិនអាចត្រឡប់វិញបាន។ កាមេរ៉ានៅចម្ងាយគីឡូម៉ែត្រ។ការខូចខាត។ថាតើប្រសិទ្ធភាពនៃការខូចខាតអាចសម្រេចបានឬអត់ ថាមពលកំពូលនៃឡាស៊ែរគឺជាគន្លឹះ។ដរាបណាថាមពលកំពូលខ្ពស់ជាងកម្រិតនៃការខូចខាតឧបករណ៍ចាប់ ជីពចរតែមួយអាចបំផ្លាញឧបករណ៍ចាប់បាន។តាមទស្សនៈនៃការលំបាកក្នុងការរចនាឡាស៊ែរ ការសាយភាយកំដៅ និងការប្រើប្រាស់ថាមពល ប្រេកង់ដដែលៗនៃឡាស៊ែរមិនចាំបាច់ឈានដល់អត្រាស៊ុមរបស់កាមេរ៉ា ឬខ្ពស់ជាងនេះទេ ហើយ 10 Hz ទៅ 20 Hz អាចបំពេញតាមកម្មវិធីប្រយុទ្ធជាក់ស្តែង។តាមធម្មជាតិ កាមេរ៉ាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីគឺមិនមានករណីលើកលែងនោះទេ។
ឧបករណ៍ចាប់យន្តហោះប្រសព្វ InGaAs រួមមាន CCDs ទម្លាក់គ្រាប់បែកអេឡិចត្រុងដោយផ្អែកលើ InGaAs/InP electron migration photocathodes និង CMOS ក្រោយមកត្រូវបានបង្កើតឡើង។កម្រិតនៃការតិត្ថិភាព និងការខូចខាតរបស់ពួកគេគឺស្ថិតនៅក្នុងលំដាប់នៃរ៉ិចទ័រដូចគ្នានឹង CCD/CMOS ដែលមានមូលដ្ឋានលើ Si ប៉ុន្តែឧបករណ៍រាវរកដែលមានមូលដ្ឋានលើ InGaAs/InP មិនទាន់ទទួលបាននៅឡើយ។ទិន្នន័យកម្រិតនៃការតិត្ថិភាព និងការខូចខាតរបស់ CCD/COMS ។
យោងតាមស្ថានភាពបច្ចុប្បន្ននៃឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីក្នុងប្រទេស និងក្រៅប្រទេស ឡាស៊ែរសភាពរឹង ប្រេកង់ដដែលៗ 1.57 μm ដោយផ្អែកលើ OPO នៅតែជាជម្រើសដ៏ល្អបំផុតសម្រាប់ការខូចខាតឡាស៊ែរចំពោះ CCD/COMS ។ប្រសិទ្ធភាពនៃការជ្រៀតចូលបរិយាកាសខ្ពស់ និងថាមពលកំពូលខ្ពស់ ឡាស៊ែរជីពចរខ្លី ការគ្របដណ្តប់កន្លែងពន្លឺ និងលក្ខណៈប្រសិទ្ធភាពជីពចរតែមួយគឺជាក់ស្តែងសម្រាប់ថាមពលសម្លាប់ទន់នៃប្រព័ន្ធអុបតូអេឡិចត្រូនិចចម្ងាយឆ្ងាយដែលបំពាក់ដោយកាមេរ៉ាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី។
2. សេចក្តីសន្និដ្ឋាន
ឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីដែលមានរលកចម្ងាយចន្លោះពី 1.1 μm និង 1.7 μm មានការបញ្ជូនបរិយាកាសខ្ពស់ និងមានសមត្ថភាពខ្លាំងក្នុងការជ្រាបចូលទៅក្នុងអ័ព្ទ ភ្លៀង ព្រិល ផ្សែង ខ្សាច់ និងធូលី។វាមិនអាចមើលឃើញដោយឧបករណ៍មើលឃើញពេលយប់ដែលមានពន្លឺតិចបែបប្រពៃណី។ឡាស៊ែរនៅក្នុងក្រុមតន្រ្តី 1.4 μm ដល់ 1.6 μm មានសុវត្ថិភាពសម្រាប់ភ្នែកមនុស្ស ហើយមានលក្ខណៈពិសេសប្លែកពីគេដូចជាឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាដែលមានភាពចាស់ទុំជាមួយនឹងរលកប្រតិកម្មខ្ពស់បំផុតនៅក្នុងជួរនេះហើយបានក្លាយជាទិសដៅអភិវឌ្ឍន៍ដ៏សំខាន់សម្រាប់កម្មវិធីយោធាឡាស៊ែរ។
ក្រដាសនេះវិភាគលក្ខណៈបច្ចេកទេស និងស្ថានភាពនៃឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីធម្មតាចំនួនបួន រួមទាំងឡាស៊ែរ phosphor semiconductor ឡាស៊ែរជាតិសរសៃ Er-doped ឡាស៊ែរ Er-doped Solid-state និងឡាស៊ែរ Solid-State ដែលមានមូលដ្ឋានលើ OPO និងសង្ខេបការប្រើប្រាស់ នៃឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីទាំងនេះនៅក្នុងការស៊ើបការណ៍សកម្ម photoelectric ។កម្មវិធីធម្មតាក្នុងការប្រឆាំងការឈ្លបយកការណ៍។
1) ថាមពលកំពូលជាបន្តបន្ទាប់ និងទាប ឡាស៊ែរ phosphor semiconductor ប្រេកង់ខ្ពស់ដដែលៗ និងឡាស៊ែរជាតិសរសៃ Er-doped ត្រូវបានប្រើជាចម្បងសម្រាប់ពន្លឺជំនួយសម្រាប់ការឃ្លាំមើលការបំបាំងកាយពីចម្ងាយ និងគោលបំណងនៅពេលយប់ និងទប់ស្កាត់ការរំខានដល់កាមេរ៉ាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីរបស់សត្រូវ។ឡាស៊ែរ semiconductor ផូស្វ័រខ្លីដែលមានជីពចរខ្ពស់ និងឡាស៊ែរជាតិសរសៃ Er-doped ក៏ជាប្រភពពន្លឺដ៏ល្អសម្រាប់ប្រព័ន្ធសុវត្ថិភាពភ្នែកនៃប្រព័ន្ធពហុជីពចរ រ៉ាដារូបភាពស្កែនឡាស៊ែរ និងការជ្រៀតជ្រែកការបញ្ឆោតចម្ងាយដោយឡាស៊ែរសុវត្ថិភាពភ្នែក។
2) ឡាស៊ែររដ្ឋរឹងដែលមានមូលដ្ឋានលើ OPO ជាមួយនឹងអត្រាពាក្យដដែលៗទាប ប៉ុន្តែជាមួយនឹងថាមពលកំពូលនៃមេហ្គាវ៉ាត់ ឬសូម្បីតែដប់មេហ្គាវ៉ាត់ អាចត្រូវបានប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងរ៉ាដារូបភាពពន្លឺ ការសង្កេតឡាស៊ែរចម្ងាយឆ្ងាយនៅពេលយប់ ការខូចខាតឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី និង របៀបប្រពៃណី ភ្នែកមនុស្សពីចម្ងាយ ឡាស៊ែរសុវត្ថិភាពជួរ។
3) ឡាស៊ែរកញ្ចក់ Er ខ្នាតតូចគឺជាទិសដៅលូតលាស់លឿនបំផុតមួយនៃឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីក្នុងប៉ុន្មានឆ្នាំថ្មីៗនេះ។កម្រិតប្រេកង់នៃថាមពលបច្ចុប្បន្ន និងពាក្យដដែលៗ អាចត្រូវបានប្រើនៅក្នុងឧបករណ៍រកជួរឡាស៊ែរសុវត្ថិភាពភ្នែកខ្នាតតូច។ទាន់ពេលវេលា នៅពេលដែលថាមពលខ្ពស់បំផុតឈានដល់កម្រិតមេហ្គាវ៉ាត់ វាអាចត្រូវបានប្រើសម្រាប់រ៉ាដារូបភាពពន្លឺ ការសង្កេតឡាស៊ែរ និងការបំផ្លាញឡាស៊ែរចំពោះកាមេរ៉ាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី។
4) ឡាស៊ែរ Diode-pumped Er:YAG ដែលលាក់ឧបករណ៍ព្រមានឡាស៊ែរគឺជាទិសដៅអភិវឌ្ឍន៍ចម្បងនៃឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លីដែលមានថាមពលខ្ពស់។វាមានសក្តានុពលកម្មវិធីដ៏អស្ចារ្យនៅក្នុង flash lidar ការសង្កេតឡាស៊ែរចម្ងាយឆ្ងាយនៅពេលយប់ និងការបំផ្លាញឡាស៊ែរ។
ក្នុងប៉ុន្មានឆ្នាំថ្មីៗនេះ ដោយសារប្រព័ន្ធសព្វាវុធមានតម្រូវការខ្ពស់ និងខ្ពស់ជាងសម្រាប់ការរួមបញ្ចូលប្រព័ន្ធអុបតូអេឡិចត្រូនិច ឧបករណ៍ឡាស៊ែរតូច និងស្រាលបានក្លាយទៅជានិន្នាការដែលមិនអាចជៀសរួចក្នុងការអភិវឌ្ឍន៍ឧបករណ៍ឡាស៊ែរ។ឡាស៊ែរ Semiconductor ឡាស៊ែរជាតិសរសៃ និងឡាស៊ែរខ្នាតតូចដែលមានទំហំតូច ទម្ងន់ស្រាល និងការប្រើប្រាស់ថាមពលទាប ឡាស៊ែរកញ្ចក់ Er បានក្លាយជាទិសដៅសំខាន់នៃការអភិវឌ្ឍន៍ឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដរលកខ្លី។ជាពិសេស ឡាស៊ែរជាតិសរសៃដែលមានគុណភាពធ្នឹមល្អ មានសក្ដានុពលនៃកម្មវិធីដ៏អស្ចារ្យនៅក្នុងពន្លឺជំនួយពេលយប់ ការឃ្លាំមើលការបំបាំងកាយ និងគោលបំណង ការស្កែនរូបភាពរូបភាព និងការរំខានដោយឡាស៊ែរ។ទោះបីជាយ៉ាងណាក៏ដោយ ថាមពល/ថាមពលនៃឡាស៊ែរទាំងបីប្រភេទនេះ ជាទូទៅមានកម្រិតទាប ហើយអាចប្រើបានសម្រាប់តែកម្មវិធីឈ្លបយកការណ៍រយៈពេលខ្លីមួយចំនួនប៉ុណ្ណោះ ហើយមិនអាចបំពេញតម្រូវការនៃការឈ្លបយកការណ៍រយៈចម្ងាយឆ្ងាយ និងប្រឆាំងការឈ្លបយកការណ៍បានទេ។ដូច្នេះ ការផ្តោតសំខាន់នៃការអភិវឌ្ឍន៍គឺដើម្បីបង្កើនថាមពល/ថាមពលឡាស៊ែរ។
ឡាស៊ែររដ្ឋរឹងដែលមានមូលដ្ឋានលើ OPO មានគុណភាពធ្នឹមល្អ និងថាមពលកំពូលខ្ពស់ ហើយគុណសម្បត្តិរបស់ពួកគេក្នុងការសង្កេតចម្ងាយឆ្ងាយ រ៉ាដារូបភាពពន្លឺ និងការខូចខាតឡាស៊ែរនៅតែជាក់ស្តែងណាស់ ហើយថាមពលបញ្ចេញឡាស៊ែរ និងប្រេកង់ឡាស៊ែរឡើងវិញគួរតែត្រូវបានកើនឡើងបន្ថែមទៀត។ .សម្រាប់ឡាស៊ែរ Er:YAG ដែលបូមដោយ diode ប្រសិនបើថាមពលជីពចរត្រូវបានកើនឡើងខណៈពេលដែលទទឹងជីពចរត្រូវបានបង្ហាប់បន្ថែមទៀតនោះ វានឹងក្លាយជាជម្រើសដ៏ល្អបំផុតសម្រាប់ឡាស៊ែរ OPO Solid-State ។វាមានគុណសម្បត្តិនៅក្នុងការសង្កេតចម្ងាយឆ្ងាយ រ៉ាដារូបភាពពន្លឺ និងការខូចខាតឡាស៊ែរ។សក្តានុពលកម្មវិធីដ៏អស្ចារ្យ។
ពត៌មានបន្ថែមអំពីផលិតផល អ្នកអាចចូលមកកាន់គេហទំព័ររបស់យើង៖
https://www.erbiumtechnology.com/
អ៊ីមែល៖devin@erbiumtechnology.com
WhatsApp៖ +86-18113047438
ទូរសារ៖ +86-2887897578
បន្ថែម៖ No.23, Chaoyang Road, Xihe street, Longquanyi disstrcit, Chengdu,610107, China.
ពេលវេលាធ្វើបច្ចុប្បន្នភាព៖ ថ្ងៃទី ០២ ខែមីនា ឆ្នាំ ២០២២
